台积电代号 “晶圆 25 厂”（Fab 25）的 1.4nm 制程工厂即将破土动工。这座总投资达 490 亿美元（约合新台币 1.5 兆元）的超级工厂，标志着全球半导体产业向更先进制程迈出关键一步，预计 2027 年底启动风险试产，2028 年下半年实现大规模量产。​

项目规模创纪录，四年建成四座晶圆厂

据中部科学园区管理局披露，该项目规划总面积 89.75 公顷，将分阶段建设四座晶圆厂房。首期工程已取得三张建造许可，包括主生产晶圆厂、供应设备厂及办公大楼，目前基础设施与水保工程已全部完工。台积电原本计划部分厂房用于 1nm 制程，但因市场对先进制程需求激增，最终决定四座工厂全部采用 1.4nm 工艺，后续 1nm 产能将另选址南部科学园区建设。

项目建成后预计将创造 8000 至 10000 个高科技就业岗位，单厂年产值可达 159 亿美元，四座工厂满负荷运转后年营收总额将突破 650 亿美元，每片 1.4nm 晶圆代工报价预计高达 4.5 万美元，较 2nm 制程上涨 50%。

技术突破：第二代 GAA 架构实现性能功耗双飞跃

台积电在 2025 年北美技术论坛上详细解读了 1.4nm（A14）制程的核心创新。该工艺采用第二代全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术，搭配 NanoFlex Pro 设计架构，相比 2nm（N2）制程实现三大突破：同等功耗下性能提升 15%，同等性能下功耗降低 25%-30%，逻辑晶体管密度提升 20%-23%。

值得关注的是，台积电通过优化标准单元布局与光罩护膜技术，成功规避了对高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）设备的依赖，大幅降低了设备投资风险与生产成本。台积电业务发展副总裁张凯文强调：“A14 工艺的 NanoFlex Pro 技术允许设计师精准优化功耗、性能与面积平衡，尤其适用于 AI 加速器、边缘计算等场景。”。

不过该制程初期版本暂不支持背面供电网络（BSPDN），针对高性能计算需求的背面供电版本（A14P）计划于 2029 年推出，后续还将迭代出性能旗舰版（A14X）与成本优化版（A14C）。

行业竞争白热化，技术霸权再巩固

台积电加速 1.4nm 布局的背后，是全球半导体巨头的制程竞赛。三星近期宣布 2nm 制程良率突破 80%，英特尔也披露 18A 工艺进展顺利，均计划 2026 年量产。台积电通过提前动工 1.4nm 工厂，将与竞争对手的技术代差拉大至 2-3 年。

市场分析指出，该制程将主要供应 AI 芯片、高性能计算（HPC）及高端智能手机处理器市场。苹果、英伟达、高通等台积电核心客户已启动相关芯片设计，预计 2028 年量产初期即可获得稳定订单。

供应链涟漪效应显现

490 亿美元的超级投资将带动上下游产业爆发。设备端，应用材料、东京电子等厂商已接到光刻机、蚀刻机等核心设备订单；材料端，高纯度硅晶圆、光刻胶等关键材料需求将激增。中科管理局副局长王俊杰表示，园区已同步完成便道、临时停车等施工配套，确保工程按计划推进。

随着 1.4nm 制程进入建设周期，台积电在全球先进制程市场的市占率有望进一步提升至 70% 以上。行业人士预测，该技术的量产将为 AI 大模型训练、元宇宙终端等新兴领域提供算力支撑，推动全球数字经济进入新阶段。